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[手機情報] 台日韓 2nm 大戰展開,Rapidus 與 台積電 竟有拗手瓜嘅實力

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5 ]$ J; a; a5 o& k( {  B# R: ftvb now,tvbnow,bttvb全球 2nm 處理器工藝競爭進入白熱化階段,日本處理器企業 Rapidus 在該領域取得關鍵進展,其 2nm 工藝邏輯密度數據首次曝光,與行業龍頭台積電的 N2 工藝不相上下,且顯著超越Intel的 18A 工藝。) T+ e4 D0 W% b
   
, p* P. A6 I( e# z) p2 HTVBNOW 含有熱門話題,最新最快電視,軟體,遊戲,電影,動漫及日常生活及興趣交流等資訊。5.39.217.767 ~! `  Z5 a1 Q1 x' }7 H
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據披露,Rapidus 的 2nm 工藝(命名為 2HP)邏輯密度達 237.31 百萬晶體管 / 平方毫米(MTr/mm²),而台積電 N2 工藝的這一數據為 236.17 MTr/mm²,二者處於同一水平,Rapidus 甚至在部分維度略有優勢。
+ o* U- N" y, C8 z+ U7 u6 z4 c! U& d; iTVBNOW 含有熱門話題,最新最快電視,軟體,遊戲,電影,動漫及日常生活及興趣交流等資訊。對比其他廠商,Intel 18A 工藝(含 BSPDN 技術)的邏輯密度僅為 184.21 MTr/mm²,與 Rapidus、台積電差距明顯。值得注意的是,Intel 更側重性能與功耗比的平衡,更高邏輯密度並非其核心目標,且 18A 工藝現階段主要供內部使用。Samsung 方面,其 2nm 工藝(2GAA)的邏輯密度數據暫未公開,3nm 工藝(3GAP)邏輯密度為 182.75 MTr/mm²,同樣落後於 Rapidus 與台積電的 2nm 工藝。
# v" |; s+ e" @/ ^/ r" b% eRapidus 2HP 工藝採用高密度(HD)單元庫,單元高度 138 單位,基於 G45 間距設計,以最大化邏輯密度為核心目標。同時,該企業採用單片前端處理技術,可針對有限生產量靈活調整,並將改進成果應用於最終產品。
) g$ a1 E, y: u  `' G- E; P5.39.217.76按計劃,Rapidus 將在 2026 年第一季度向客戶交付 2nm 工藝設計套件,這意味著其 2nm 技術距離商業化落地更進一步,全球 2nm 處理器競爭格局或將迎來新變化。+ N% h9 p- c( i( f# {. @% J* e. h
https://news.mydrivers.com/1/1071/1071631.htm
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