標題:
[手機情報]
Samsung 與美國晶片公司合作，有望切底改善 3nm 良率超越台積電
[打印本頁]
作者:
sun7005
時間:
2022-11-23 09:54 AM
標題:
Samsung 與美國晶片公司合作，有望切底改善 3nm 良率超越台積電
曾經 Samsung 可是一大晶片巨頭，不僅市場份額大，而且口碑也一直不錯。不過如今卻沒落，最終不抵台積電。11 月19 日消息，韓媒 Naver 報導，Samsung 已經與美國的 Silicon Frontline Technology 公司合作，以便能夠提高其半導體晶片在生產過程中的良率，望重新贏得市場，並在 3nm 工藝上超越台積電。
tvb now,tvbnow,bttvb' L/ N; A: I# m8 l
/ }1 }5 n }7 _. K" gtvb now,tvbnow,bttvb
5.39.217.768 s/ \! |* R- s" W4 Y: r, H' [& S
# n! W( }# L. U7 _% }, h! R4 htvb now,tvbnow,bttvb
事實上，Samsung 電子先進製程良率非常低，自從 5nm 開始就一直存在問題，到 4nm 後問題更是嚴重，其中核心問題就是良率低，據傳 3nm 至今的良率甚至還不到 20%，導致量產進度陷入瓶頸。
7 z0 Y/ o0 @+ E6 g7 Gtvb now,tvbnow,bttvb
因此 Samsung 希望能通過和 Silicon Frontline Technology 公司合作，幫助 Samsung 進行前端（front-end）工藝和晶片性能改進。
/ v! [# w d) F公仔箱論壇
據了解，這家美國公司提供晶片鑑定評估和 ESD（靜電放電）預防技術。 ESD 是造成半導體晶片缺陷的主要原因之一，是由製造過程中設備和金屬之間的摩擦造成的。
5.39.217.76: k6 |: L Z: R! ^& A* S
據報導，Samsung 在晶片設計和生產過程中已經與 Silicon Frontline 公司合作了很長一段時間，並且也取得了令人滿意的結果。
6 ]& G3 p) d& Q; I* h5 t
目前 Samsung 已經在晶片驗證過程中使用了該公司的最新技術，並且有望切底改善良率低的問題。
歡迎光臨 公仔箱論壇 (http://5.39.217.76/)
Powered by Discuz! 7.0.0
事實上，Samsung 電子先進製程良率非常低，自從 5nm 開始就一直存在問題，到 4nm 後問題更是嚴重，其中核心問題就是良率低，據傳 3nm 至今的良率甚至還不到 20%，導致量產進度陷入瓶頸。
因此 Samsung 希望能通過和 Silicon Frontline Technology 公司合作，幫助 Samsung 進行前端（front-end）工藝和晶片性能改進。