% N. U) q' K. [公仔箱論壇TVBNOW 含有熱門話題,最新最快電視,軟體,遊戲,電影,動漫及日常生活及興趣交流等資訊。5 s/ u# F% y m7 ^9 b6 x7 e& i, T( O
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& j) I7 {) r( ^6 |7 N「安裝飛機發動機的自行車」tvb now,tvbnow,bttvb6 f% o+ i: ]1 {" N
如果我們給私家車安裝1000馬力的發動機,可以獲得與超級跑車相近的性能嗎?' X$ O6 z; V, f- j# E( _
答案是否定的,因為私家車的車體根本無法承受這樣的動力輸出。2 F; r9 K. E' Y* n* D; h
同樣的道理,我們把英特爾i7處理器裝在手機上也沒有意義,因為手機根本無力承擔它的功耗。\- |4 t h2 M5 s- ^$ T6 }3 z! n+ `
在這個層面上,我們是理性的,廠家也是理性的,至少在相當長一段時間內是這樣。 ! Z. L; m+ B* A) u; Itvb now,tvbnow,bttvb然而,這部分理性如今卻在逐漸消失。 3 x% b0 _$ j7 e6 Z$ v& U3 ktvb now,tvbnow,bttvbtvb now,tvbnow,bttvb/ v6 O! O' A+ _( @) d5 j
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1 u$ \/ ^' T8 R3 G8 m . M7 f) j$ i {: C% X) q l一個被業內視為默認規則,而聽起來又異常奇怪的現象是:5 V3 g4 d9 B* [1 C" J$ p+ G; I
2012年之後的旗艦智能手機,沒有幾台能讓CPU做到長時間滿負荷工作不降頻。 A' b$ z& p5 {7 k8 }% y1 U公仔箱論壇廠商不斷地往手機裡塞入更快、更強大的硬件,與此同時,卻不得不限制它們的工作頻率與工作時間。5.39.217.76% f7 U' Y0 E" ~# s 你看到的產品手冊上赫然寫著「四核1.7GHz」,但實際使用中你永遠無法得到這樣的性能。 f' ~7 L, O+ G4 z ; ]9 e- p1 s( ~$ b公仔箱論壇 3 z7 k: T( A9 f; _" }# e5 c+ ]/ \tvb now,tvbnow,bttvb1 e2 p! k; f; V+ y0 r. o3 B+ r
+ n7 h( x0 H% |$ f! e公仔箱論壇這方面的例子比比皆是,從Nexus 4冷櫃跑分暴漲30%,到K3V2的GPU頻率縮水6成,5.39.217.76* m8 L- E9 V! J1 T( h 大多數旗艦手機都無法發揮出它應有的性能。公仔箱論壇" t$ o9 U% ~: S( }+ Y: P% F$ w 公仔箱論壇% R. _$ Z7 G. o, B7 y
來自Anandtech的著名測試:把Nexus 4扔進冰箱,結果跑分提升了20%以上!公仔箱論壇* A6 c- f: l) O8 N. O1 Y
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' J0 D$ C/ s5 E% x希望各位注意,對比的對象是28HPM,而28HPM的漏電水平與28LP是接近的, ) H+ u7 {8 b# B+ V. B+ E4 `) n ) }* j" j3 y0 c5 h& S% ^7 u- K5.39.217.76也就是說從28nm到 20nm,TSMC只實現了20%的漏電降低。5.39.217.76% T. A g" c' O' X
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這是官方最樂觀的預計,而實際情況可能要比這個悲觀的多,一如TSMC對於28nm量產時間的預計一樣。 - K& ?: {* i, Z3 {5.39.217.76/ ] W5 S% x" j- e4 D' y/ n
那麼我們就可以得到一個自然而然的預計:20nm時代,我們除了更高的集成度, 7 T9 x- ?/ N5 l1 ^& k" z 6 U" `& x2 O3 ~7 k/ E9 p, T8 ~# T% JTVBNOW 含有熱門話題,最新最快電視,軟體,遊戲,電影,動漫及日常生活及興趣交流等資訊。什麼都得不到。這就意味著,以20nm工藝製造的芯片,固然可以通過規模的擴大而獲得更大的理論性能,tvb now,tvbnow,bttvb# i8 m# t6 p. `
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卻幾乎無法從工藝的進步得到單位功耗效率的提升。在目前手機處理器絕對性能已經超過體效值的大前提下,tvb now,tvbnow,bttvb4 f5 D6 m2 |# p/ Z6 o' |8 d
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這樣的結論幾乎就已經宣佈了,未來的產品不會為我們帶來更快的實際性能。TVBNOW 含有熱門話題,最新最快電視,軟體,遊戲,電影,動漫及日常生活及興趣交流等資訊。3 @4 C1 F! t9 p
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那麼更先進的工藝呢?例如16nm?根據目前的規劃,9 O/ ~) R7 g4 @; B
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TSMC將在16nm引入近年來半導體工藝中繼HKMG後最大也可能是最後的進步,也就是3D 晶體管,又叫finfet。tvb now,tvbnow,bttvb5 l0 q2 N7 t) {
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這個技術可以為單個晶體管帶來40%的性能提升,同時降低30%的功耗,目前已由英特爾量產,TVBNOW 含有熱門話題,最新最快電視,軟體,遊戲,電影,動漫及日常生活及興趣交流等資訊。' p" v' l3 |5 v/ y- g5 O
& m/ X: P5 r. O0 u) [' j& [3 |TVBNOW 含有熱門話題,最新最快電視,軟體,遊戲,電影,動漫及日常生活及興趣交流等資訊。至少在筆者看來,TSMC 可以在2015年量產16nm finfet的概率幾乎為0。 , e3 ]" v3 J; k+ S& k* Xtvb now,tvbnow,bttvb公仔箱論壇$ N/ C7 [0 Z( ~- E
至於GlobalFoundries或者三星,前者目前剛剛實現28nm的量產,雖然幻燈片已經寫到了10nm,TVBNOW 含有熱門話題,最新最快電視,軟體,遊戲,電影,動漫及日常生活及興趣交流等資訊。9 C6 [4 q5 T3 D1 A0 B, t
9 Z- j8 K9 ~" w0 @# Q7 T7 {公仔箱論壇但是我們不應對其抱有太大的信心,而三星的產能過小,即便有良好的工藝,也無法支撐業界的需求,5 n' O9 u, P( R
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因此不需要投以太大的注意力。TVBNOW 含有熱門話題,最新最快電視,軟體,遊戲,電影,動漫及日常生活及興趣交流等資訊。7 K6 ^6 s% D! e) j$ U
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這就意味著,2014年和2015年對於ARM而言會非常艱難。因為先進工藝在這兩年將出現空窗期, 4 O7 m- T6 w5 w2 b. D: o$ K0 i5.39.217.76& b2 ]2 L! [: [, h0 Q" Q, a
而沒有先進工藝的支持,ARM系產品的性能進步就只能停留在紙面。 8 G6 p. q$ T# u% @0 q2 I+ w9 k6 m6 [
當然,也有一種選擇,那就是提前在20nm上——就像英特爾所做的那樣——引入finfet, 7 v H* x3 l- V9 f5 {+ _公仔箱論壇公仔箱論壇; f C" Q: D5 O7 h5 n
但這會給本來就已充滿變數的20nm工藝增添新的難度,最極端情況下也許會導致2014年的徹底空白。 # E4 n% q" A+ w4 }# e6 ~0 r/ {5.39.217.76 ], f2 K4 F/ z" o) c因此我們似乎必須接受2014到2015年的空窗期。 " I3 B/ N+ }5 G9 s' G公仔箱論壇 . S' l" A( T/ z% f+ X utvb now,tvbnow,bttvb; L0 }& w) ?0 h9 w
8 h# ]$ ~5 M W f2 k- [那麼,更先進,比16nm還先進的工藝呢?業界普遍認為,& ]3 u, n4 M9 G' b
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由於物理規律限制,目前常規晶體管的極限將在2nm左右到來,在這個規模下, : D% P, R6 u% k( r. Y( gTVBNOW 含有熱門話題,最新最快電視,軟體,遊戲,電影,動漫及日常生活及興趣交流等資訊。公仔箱論壇+ k6 E3 ~) T, ^; M, w
基於宏觀原理工作的硅基半導體晶體管將徹底無法運行。 7 v6 {6 J; E1 l! Wtvb now,tvbnow,bttvb2 x: U, X; d$ z0 V. L) T
而考慮到工程實際情況,也許在10nm時就已經會遭遇無法解決的問題。tvb now,tvbnow,bttvb+ ~3 I& Z- V) Y! E) O0 j% ^: f